SURFACE MORPHOLOGY OF SELF-ASSEMBLED VERTICALLY STACKED InAs QUANTUM DOTS BY SIZE-CONTROLLED GROWTH

来源 :金属学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liyaohuaok

【摘要】

：

Structural and optical properties of vertically aligned InAs quantum dots (QDs) were embedded in Al0.5Ga0.5As spacer layers. The aligned QDs were grown at 520℃

【作者】

：

S.W.Li K.Koike

【机构】

：

StateKeyLaboratoryofOptoelectronicMaterialsandTechnologies,NewMaterialsResearchCenter

【出处】

：

金属学报：英文版

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

量子点分子束晶体生长原子力显微镜半导体 quantum dot molecular beam epitaxy atomic force micros

【基金项目】

：

教育部留学回国人员科研启动基金

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Structural and optical properties of vertically aligned InAs quantum dots (QDs) were embedded in Al0.5Ga0.5As spacer layers. The aligned QDs were grown at 520℃ in the Stranski-Krastanow (S-K) growth mode of molecular beam epitaxy. To improve QD characteri

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