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本文研究了利用光刻图形转移过程中,湿法化学刻蚀存在的侧向钻蚀,通过对钻蚀程度的控制获得小于0.5μm的线条间隔.
一种制作亚微米间隔的方法
【摘 要】
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本文研究了利用光刻图形转移过程中,湿法化学刻蚀存在的侧向钻蚀,通过对钻蚀程度的控制获得小于0.5μm的线条间隔.
【机 构】
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上海交通大学微电子技术研究所,上海交通大学微电子技术研究所上海,上海,上海
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1989年7期
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