蓝宝石上AlN基板的MOCVD外延生长

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结合AlN成核缓冲层技术和NH3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN基板,用扫描电镜、原子力显微镜及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板无裂纹,其平均粗糙度为0.35nm,(0002)和(1012)回摆曲线FWHM分别为37″和712″。详细论述了AlN基板的生长模式、位错行为和应力释放途径。 AlN substrate was grown on (0001) sapphire substrate by MOCVD using AlN nucleation buffer technology and NH3 flow modulation buffer layer. The samples were characterized by scanning electron microscopy, atomic force microscopy and X-ray diffractometry. The results showed that The substrate was crack-free with an average roughness of 0.35 nm and the FWHM of (0002) and (1012) heave curves were 37 “and 712”, respectively. The growth mode, dislocation behavior and stress release path of AlN substrate are discussed in detail.
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