【摘 要】
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用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室!上海200083,中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海201800,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室!上海2000
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用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .
GaAs / AlGaAs asymmetric double quantum wells (ACDQWs) were grown by molecular beam epitaxy (MBE), and different implanted ions of As +, H + and different implants were obtained on the same substrate by combined ion implantation Dose GaAs / Al Ga As asymmetric coupling double quantum well cell without the rapid thermal annealing conditions at room temperature measured optical modulation reflectance spectra found that the maximum transition energy of each unit sub-band range up to 80 me V.
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