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利用n型硅作为阴极制备了倒置型顶发射有机发光二极管。通过在n-Si阴极和电子传输层（Alq3）之间插入1nm厚的Ba作为电子注入层，将器件的开启电压从20V降低到9V，并且将器件的效率提高了13倍。器件性能的提高主要是因为1nm厚的Ba有效的降低了电子注入的势垒。
硅基倒置型顶发射有机发光二极管
【摘 要】
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利用n型硅作为阴极制备了倒置型顶发射有机发光二极管。通过在n-Si阴极和电子传输层（Alq3）之间插入1nm厚的Ba作为电子注入层，将器件的开启电压从20V降低到9V，并且将器件的效率提
【机 构】
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光电材料与技术国家重点实验室
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2008年1期
【基金项目】
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广州市科技计划资助（2004J1-C0011）,广东省科技计划资助项目（2006A10801001）
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