【摘 要】
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采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件.器件在波长1.55~1.60μm范围内,3dB带宽大于10GHz,
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,中国科学院半导体研究所光电子研究
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采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件.器件在波长1.55~1.60μm范围内,3dB带宽大于10GHz,直流消光比为25dB,插入损耗小于0dB,远场发散角为7.3°×18.0°,与单模光纤的耦合效率达3.0dB.
The monolithic integrated circuit of electroabsorption modulator, semiconductor optical amplifier and dual-waveguide mode spot converter is fabricated by using selective region growth, quantum well hybrid and asymmetric dual-waveguide technology. The device has a 3dB bandwidth in the wavelength range of 1.55-1.60μm, 10GHz, DC extinction ratio of 25dB, insertion loss of less than 0dB, far-field divergence angle of 7.3 ° × 18.0 °, and single-mode fiber coupling efficiency of 3.0dB.
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