【摘 要】
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本文利用透射电子显微术研究了外延生长的多铁BiFeO3/NdGaO3(110)O薄膜中的界面重构现象。高分辨HAADF-STEM像表明:衬底的截止层为GaO2原子层;在BiFeO3/NdGaO3界面处,Nd元素
【机 构】
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中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心,中国科学技术大学,兰州理工大学材料科学与工程学院省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(No.51571197),中国科学院前沿局重点基础研究项目(No.QYZDJ-SSW-JSC010).
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本文利用透射电子显微术研究了外延生长的多铁BiFeO3/NdGaO3(110)O薄膜中的界面重构现象。高分辨HAADF-STEM像表明:衬底的截止层为GaO2原子层;在BiFeO3/NdGaO3界面处,Nd元素部分取代了BiFeO3的Bi元素,从而在平行于界面的第一原子层形成了BiO-NdO交替排列的界面重构形态。利用寻峰拟合方法对高分辨HAADF-STEM像的分析表明,这种界面重构的发生可以部分释放衬底施加的压应变。本研究提出了多铁材料BiFeO3薄膜中一种新的应变释放途径。
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