高择优取向Cu电沉积层的XRD研究

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采用电化学和XRD方法在CuSO4+H2SO4电解液中获得Cu电沉积层并研究其结构.结果表明,在4.0 A/dm2和15.0 A/dm2电流密度下可分别获得(220)和(111)晶面高择优取向Cu镀层;Cu镀层晶面织构度随厚度提高而增大,获得(111)晶面高择优Cu镀层的厚度约是(220)晶面的7倍,说明Cu(220)晶面比(111)晶面是更易保留的晶面,且低电流密度下铜的电结晶更容易受电沉积条件控制;较高的沉积电流密度有利于晶核的形成;Cu镀层存在晶格畸变和晶胞参数的涨大.
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