【摘 要】
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不同Sr掺杂量（x）、Mg掺杂量（y）的LaGaO3材料采用固态反应法制备,用XRD进行材料相分析,用交流阻抗法研究了离子导电性。结果表明,不同Sr、Mg掺杂量的LaGaO3材料可由单一的立方相组
【机 构】
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合肥工业大学材料科学与工程学院,马普金属所
【基金项目】
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国家留学回国人员基金（教外司留200314）
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不同Sr掺杂量（x）、Mg掺杂量（y）的LaGaO3材料采用固态反应法制备,用XRD进行材料相分析,用交流阻抗法研究了离子导电性。结果表明,不同Sr、Mg掺杂量的LaGaO3材料可由单一的立方相组成,也可由立方相和第二相组成,主要取决于Sr、Mg掺杂量;随x或y的增加,离子电导率σ开始增加,达到极大值后,逐步减小。当x=0.15,y=0.20或x=0.20,y=0.15时具有最高的离子电导率,σ可达到0.148S/cm;随测试温度的升高,离子电导率σ增加;ln（σT）与1/T曲线由两段不同斜率的直线组成;
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