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用x射线双晶衍射法（XRD）对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品（004）面进行测试，在所有样品的测试结果中发现，摇摆曲线主峰左侧160”附近均出现傍肩，并且主峰衍射强度也较低。依据x射线衍射理论对系统射线在测试样品（004）面的衍射峰位展宽进行计算，并对4H-SiC原子结构进行了分析。研究结果证实，摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关，而相对较低的衍射强度受其（004）面的特殊双层原子结构的影响。