【摘 要】
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以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法 ,结合旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了SiO2薄膜.XRD和AFM表明该SiO2薄膜为无定形态,具有多孔网络结构,表面
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以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法 ,结合旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了SiO2薄膜.XRD和AFM表明该SiO2薄膜为无定形态,具有多孔网络结构,表面均匀、平整,其SiO2粒子和孔隙的直径为30～40nm .利用椭偏仪测量了薄膜的厚度和折射率,薄膜的厚度为300～1100nm,折射率为1.13～1.2 3,孔隙率为50%～70%,介电常数为1.9～2.4.SiO2薄膜的厚度随溶剂异丙醇(IPA)用量的减少、催化剂NH4OH用量的增加、SiO2溶胶粘度的增大和旋转涂胶速
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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