RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xd369426185

【摘要】

：

采用RF辅助加热CVD方法,在76 mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜.设备为电容耦合式RF(13.56 MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实

【作者】

：

姜岩峰郝达兵黄庆安

【机构】

：

北方工业大学信息工程学院微电子学科,南京电子器件研究所,东南大学教育部MEMS重点实验室

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

碳化硅成核生长等离子化学汽相淀积 silicon carbide nucleation plasma chemical vapor deposition

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

采用RF辅助加热CVD方法,在76 mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜.设备为电容耦合式RF(13.56 MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长.对样品进行了XRD、AFM检查;退火后整个样片膜厚均匀、一致性好、应力低、与衬底的粘附性好.

其他文献

一种基于分时复用的PCIAD总线再复用模型

在研究PCI AD双向总线及PCI总线读操作时序特性的基础上，提出了基于分时复用技术实现PCI AD总线再复用的模型。挂接在PCI用户端的存储器可以复用PCI AD总线完成主设备对其进行

期刊

PCIAD总线换向分时复用模型PCI AD bus turn around time sharing reuse model

Ag／Bi4Ti3O12栅铁电场效应管ID-VG特性双曲模型

在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了数值模拟.该模型不但与阈值电压、沟道饱和

期刊

铁电场效应晶体管ID-VGc特性数学模型数值模拟FFET ID-VG characteristics model simulation

妇产科手术后下肢血栓性静脉炎的临床护理分析

目的：探讨妇产科手术后下肢血栓性静脉炎的临床护理方法。方法：选取妇产科手术后发生下肢血栓性静脉炎的患者140例，随机分为两组，对照组68例，观察组72例。对照组患者给予常规护理，

期刊

妇产手术下肢血栓性静脉炎护理

RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜

其他学术论文