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第三代半导体也被称为宽带隙半导体,主要是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的半导体材料,可应用于光电、电力电子和微波射频等领城,其中,碳化硅目前主要是.用在650V以上的高压功率器件领域,而氮化镓主要是用在650V以下的中低压功率器件领域及微波射频和光电领域。第三代半导体是5G、人工智能、工业互联网等多个“新基建”领域的重要材料,也是各国半导体研究领域的热点。