【摘 要】
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Molybdenum trioxide (MoO3) as a cathode buffer layer is inserted between LiF and Al to improve the efficiency of white organic light-emitting diodes (OLEDs) in this paper. By changing the MoO3 thickness, a higher current efficiency o
【机 构】
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SchoolofElectricandInformationEngineering,ShaanxiUniversityofScienceandTechnology,Xi’an710021,China
【出 处】
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OptoelectronicsLetters
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Molybdenum trioxide (MoO3) as a cathode buffer layer is inserted between LiF and Al to improve the efficiency of white organic light-emitting diodes (OLEDs) in this paper. By changing the MoO3 thickness, a higher current efficiency of 5.79 cd/A is obtained at a current density of 160 mA/cm2 for the device with a 0.8 nm-thick MoO3 layer as the cathode buffer layer, which is approximately two times greater than that of the device without MoO3. The mechanism for improving the device efficiency is discussed. Moreover, at a voltage of 13 V, the device with a 0.8 nm-thick MoO3 layer achieves a higher luminance of 22370 cd/m2, and the Commission Internationale de I,Eclairage (CIE) color coordinate of the device with 1 nm-thick MoO3 layer is (0.33, 0.34), which shows the best color purity. Simple electron-only devices are tested to confirm the impact of the MoO3 layer on the carrier injection.
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