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为提高绝缘子的真空沿面闪络电压，采用氩气下辉光放电对绝缘子进行处理，研究了辉光放电频率、放电电流大小和处理时间对绝缘子真空闪络电压的影响。结果表明，辉光放电能极大提高绝缘子的真空闪络电压。未处理的绝缘子真空闪络电压为55kV左右；经高频辉光放电预处理40min后，绝缘子真空闪络电压达到100kV；经工频辉光放电预处理40min后，绝缘子真空闪络电压可达125kV，高出高频下25kV；同时，辉光放电电流（数十mA）越大，处理后的绝缘子真空闪络电压越高，但随着辉光放电电流的增大，闪络电压的增加幅度趋于饱和。