【摘 要】
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针对片式正温度系数热敏电阻（PTCR）传感器的还原再氧化制备工艺,研究了还原性气氛下烧结温度对热敏材料性能的影响。结果表明烧结温度在1 215-1 295℃范围内的还原气氛下烧结,
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室
【基金项目】
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国家“863”计划资助项目（SQ2008AA03Z4471960）
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针对片式正温度系数热敏电阻（PTCR）传感器的还原再氧化制备工艺,研究了还原性气氛下烧结温度对热敏材料性能的影响。结果表明烧结温度在1 215-1 295℃范围内的还原气氛下烧结,瓷体均可半导化,瓷体的平均晶粒尺寸随烧结温度升高而增大,增大趋势由缓慢到逐步加快。再氧化处理前瓷体电阻率均小于10Ω.cm.再氧化后,瓷体的电阻率和升阻比都呈现出了不同程度的增长,增长幅度随烧结温度的升高而降低。此外,提高再氧化温度可提高升阻比同时会使瓷体电阻率增大。
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