【摘 要】
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实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象。采用棱镜耦合技术、Raman光谱
【机 构】
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南昌大学物理系,上海理工大学光学与电子信息工程学院,日本法政大学材料化学系,日本东京农工大学化工系
【基金项目】
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国家自然科学基金（60677032）、江西省自然科学基金（2007JZW2048）和江西省教育厅科技计划项目（GJJ08065）资助
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实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象。采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象。实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.0057。淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不
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