【摘 要】
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采用热蒸发法在Si片上沉积稀土元素Er掺杂的WSe2薄膜,研究了Er3+掺杂对WSe2薄膜表面形貌、晶体结构、光致发光光谱、光吸收特性和电学特性的影响.研究发现薄膜在(004)晶面呈
【机 构】
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苏州科技大学物理科学与技术学院,江苏苏州215009
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采用热蒸发法在Si片上沉积稀土元素Er掺杂的WSe2薄膜,研究了Er3+掺杂对WSe2薄膜表面形貌、晶体结构、光致发光光谱、光吸收特性和电学特性的影响.研究发现薄膜在(004)晶面呈柱状择优生长,Er3+掺杂不仅没有改变WSe2的晶体结构,还使薄膜结晶性显著增强,提高了光吸收特性,明显增加了光致发光强度.同时发现Er3+掺杂WSe2薄膜的电子迁移率为未掺杂的4倍多.当光照强度由0增加到25 mW/cm2时,Er3+掺杂的WSe2/Si异质结的I-V曲线由整流特性逐步变成线性,相同偏压下光电流增加了约3倍,并且光电导灵敏度也明显增加.随着加热温度的升高,电导显著增大,电阻表现负温度系数.表明WSe2/Si异质结对温度和光强具有非常高的灵敏度,在高效率的温度传感器和光电探测器等方面有良好的应用前景.
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