【摘 要】
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利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜.制备条件为:衬底
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，教育部重点项目，国家合作项目，天津市自然科学基金
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利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜.制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342 μmol/min,H2O流量为500 μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂.在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40 Ω/□.透过率＞85%.
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