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通过磁控溅射仪制备了Ge2 Sb2 Te5（ GST）和Ag10？6（ GST）89？4薄膜，利用X射线衍射（ XRD）、电阻-温度（ R-T）测试、透射电子显微学以及径向分布函数（RDF）等方法对比研究了GST和Ag10？6（GST）89？4的结晶过程和微观结构及其演化的差异。发现掺Ag的薄膜非晶态、晶态电阻均比GST更高，而且结晶过程只有非晶相到面心立方相（ fcc）的转变，没有出现GST的非晶到fcc再到六方相（hcp）的过程，XRD分析进一步证实了这一结果。同时，透射电镜原位加热实验证实了在300