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随着栅氧化层的减薄,应力感应的薄栅氧化层漏电特性目前已经成为MOS器件的主要可靠性因素。本文对SILC效应的导电机制和组成成分作了简要论述,并重点研究了Flash Memory中的SILC效应。
SILC效应机理及其对Flash Memory的影响
【摘 要】
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随着栅氧化层的减薄,应力感应的薄栅氧化层漏电特性目前已经成为MOS器件的主要可靠性因素。本文对SILC效应的导电机制和组成成分作了简要论述,并重点研究了Flash Memory中的S
【机 构】
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湖南科技大学信息与电气工程学院
【出 处】
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科技创新导报
【发表日期】
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2011年17期
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