【摘 要】
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利用X射线粉末衍射确定了Tm3+掺杂硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体的晶体结构;运用DICVOL91程序计算了该晶体不同部位的晶胞参数;测定了Tm:LGS晶体的室温吸收谱和470nm光激发
【机 构】
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中国海洋大学材料科学与工程研究院,中国海洋大学材料科学与工程研究院,中国海洋大学材料科学与工程研究院,中国海洋大学材料科学与工程研究院,山东大学晶体材料国家重点实验室 青岛266100,青岛26610
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利用X射线粉末衍射确定了Tm3+掺杂硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体的晶体结构;运用DICVOL91程序计算了该晶体不同部位的晶胞参数;测定了Tm:LGS晶体的室温吸收谱和470nm光激发下的发射光谱;根据Judd-Ofelt理论拟合了Tm3+的三个晶场调节参数Ωt(t=2,4,6),分别为2.694×10-20cm2,1.842×10-20cm2,0.030×10-20cm2;计算了各个能级跃迁的谱线强度、振子强度、吸收截面等,进而计算了3H4和3F4态的自发跃迁概率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面,并对结果进行了分析.
The crystal structure of Tm3 + doped La3Ga5SiO14 (LGS) crystal was confirmed by X-ray powder diffraction. The crystal cell parameters of different parts of the crystal were calculated by DICVOL91 program. The absorption spectrum of Tm: LGS crystal at 470nm According to the Judd-Ofelt theory, the three crystal-field parameters Ωt (t = 2, 4 and 6) of Tm3 + are fitted and are 2.694 × 10-20cm2, 1.842 × 10-20cm2 and 0.030 × 10-20cm2. The spectral intensity, oscillator strength and absorption cross section of each level transition have been calculated. Then the spontaneous transition probability, radiation lifetime, fluorescence branching ratio and integral emission cross section of 3H4 and 3F4 states have been calculated. analysis.
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