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提出了一种新的纯MOS结构的基准电压源,它利用pMOS和nMOS的阈值电压差来抵消工艺偏差,提高了基准的精度.该电路经过Chartered0.35mm标准CMOS工艺成功流片,芯片面积为0.022mm^2.测试结果表明:输出平均电压在室温下与仿真结果的绝对误差为6mV,在0~100℃范围内温度系数为180ppm/℃,电源调整率为±1.1%.该基准应用于自适应功率管驱动器中.