【摘 要】
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用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga0.65Al0.35As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象。清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明
【机 构】
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半导体超晶格国家重点实验室,西安交通大学电子工程系中国科学院半导体研究所,北京100083西安交通大学电子工程系,西安710049,中国科学院半导体研究所,北京100083,西安710049
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用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga0.65Al0.35As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象。清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明来自于GaAlAs势垒层中的类AlAs模式声子在LO声子辅助隧穿过程中占据主导地位。更多还原
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