论文部分内容阅读
目前LDMOS已经广泛应用于功率集成电路和微波集成电路中,建立LDMOS的SPICE等效电路变得很重要.以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析,公式复杂而且计算量大.因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程,建立了LDMOS Ⅰ-Ⅴ特性的宏模型.该模型的特点是参数少,易于提取,得到的SPICE等效电路简单,仿真容易收敛.