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利用PC1D计算了结构为n+/p和n+/p-p+多晶硅薄膜太阳电池的晶粒尺寸和薄膜厚度对其Vcc,Jsc和η的影响.计算结果表明:对无陷光结构的多晶硅薄膜太阳电池,要获得10%的效率,薄膜厚度至少应大于22μm;晶粒尺寸大于薄膜厚度的4倍时,晶界复合对载流子寿命的影响可以忽略;同时表明:太阳电池的背表面场(BSF)对提高多晶硅薄膜太阳电池的性能具有很大的作用.