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采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和广义梯度近似，计算了掺杂Ge前后单晶Si中Si-Ge键的布居值、键长以及能带结构和态密度。计算结果表明，Ge掺杂后体系晶格常数发生变化，Ge-Si键变长，布居值及带隙宽度减小。还进一步研究了掺杂Ge后的光学性质，掺杂后静态介电常数值与纯Si相比有所增大，且吸收带宽变窄、吸收带边明显红移，并对这些掺杂诱导的材料物性变化进行了解释。