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前期研究发现，部分高频小功率硅双极晶体管对静电放电最敏感的端对不再是人们通常认为的EB反偏结，而是CB反偏结。针对这一现象，采用多种技术，对从CB反偏结注入静电放电造成失效的器件的内部损伤点进行了详细的剖析，讨论了此类高频硅双极晶体管出现明显失效时的静电放电（ESD）失效机理，为新时期器件抗静电性能的提高奠定了新的基础。