【摘 要】
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采用超高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术研究微晶硅（μc-Si）薄膜的高速沉积过程发现：分别采用100和500sccm流量制备本征μc-Si材料,将其应用在μc-Si电池i层,电池的电
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【基金项目】
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国家“973”规划资助项目（2006CB202602,2006CB202603）
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采用超高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术研究微晶硅（μc-Si）薄膜的高速沉积过程发现：分别采用100和500sccm流量制备本征μc-Si材料,将其应用在μc-Si电池i层,电池的电流-电压（I-V）特性有明显的差异。通过微区Raman、原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）测试发现：尽管μc-Si薄膜的晶化率相似,但是小流量情况下制备的薄膜具有较厚的非晶孵化层,晶粒尺寸不一;大流量下制备的材料沿生长方向的纵向均匀性相对较好,晶粒尺寸较小、分布均匀,而且具有〈220〉晶相峰强度
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