PZT铁电薄膜的射频磁控溅射制备及其性能

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【摘要】

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实验采用射频磁控溅射工艺,在较低的衬底温度(370℃)、纯Ar气氛中和在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用陶瓷靶Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)制备具有完全钙钛矿结构的多晶PZT(52/48)铁

【作者】

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张景基赖珍荃王震东钟双英王根水孙瑾兰

【机构】

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南昌大学材料科学与工程学院,南昌大学理学院,南昌大学材料科学与工程学院,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

【出处】

：

江西科学

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

PZT铁电薄膜射频磁控溅射退火温度 PZT ferroelectric thin films Post - anneal

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实验采用射频磁控溅射工艺,在较低的衬底温度(370℃)、纯Ar气氛中和在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用陶瓷靶Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)制备具有完全钙钛矿结构的多晶PZT(52/48)铁电薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理.用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)和Auger电子能谱(AES)测量其组分,X射线衍射仪(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,RT66A标准铁电测试系统

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