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瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：SuperJunction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下，降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。
瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET
【摘 要】
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瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：SuperJunction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2012年7期
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