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本文采用了具有次纳米精度的纳观应变场测量方法——极值点定位,在纳米尺度测定了单晶硅位错应变场,给出了位错芯周围数纳米区域的εxx、εyy、εxy全场应变分布图。位错芯周围是应变集中区域,位错芯前方是拉应变,位错芯后方是压应变。将应变测量结果与Peierls-Nabarro位错模型进行了对比,结果证实Peierls-Nabarro位错模型能够在纳米尺度准确描述单晶硅位错的应变场。