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ULSI多层铜互连线中，由于Cu与Ta的硬度不同带来抛光速率的差异，使得在CMP过程中各种缺陷如碟形坑缺陷、磨蚀缺陷板易发生。研究分析了H2O2、有机碱对Cu和Ta抛光速率的影响，并进行了不同抛光液配比的试验。实验证明，在温度为30℃、压力0．08MPa，转速60r／min、抛光液流量为160mL／min、抛光液成份为y（H2O2）：V（有机碱）：V（活性剂）：V（螯合剂）=5：15：15：25时，抛光速率一致性较好，能够有效降低碟形坑的出现几率；Cu、Ta的抛光速率均为500nm／min左右，实现了CM