多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及其场电子发射

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研究了多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备工艺及其场电子发射特性.以多孔硅作为生长金刚石突起阵列的模板,生长出带多微尖的微晶金刚石晶粒,使场电子发射阈值下降(<1V/μm),发射电流增大(>90mA/cm^2),场发射性能稳定,并对这种场发射特性做出了理论解释.
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