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Formation of the intermediate semiconductor layer for the Ohmic contact to silicon carbide using Ger

来源 :Chinese Physics B | 被引量 : 0次 | 上传用户：adward006

【作 者】

：

郭辉 王悦湖 张玉明 乔大勇 张义门 

【出 处】

：

Chinese Physics B

【发表日期】

：

2020年1期

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