【摘 要】
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场效应管（简称FET）是一种由输入电压来控制其输出电流大小的半导体器件,是电压控制器件,其输入电阻非常高,输入端基本不取电流.由于金属一氧化物一半导体场效应管（简称MOSFET ）栅
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场效应管（简称FET）是一种由输入电压来控制其输出电流大小的半导体器件,是电压控制器件,其输入电阻非常高,输入端基本不取电流.由于金属一氧化物一半导体场效应管（简称MOSFET ）栅极和沟道之间的绝缘层易被电压击穿,特别是栅源之间的耐压只有几十伏,外部静电电压极易造成栅源极间击穿损坏.文章针对MOSFET在实验教学测量、测试过程中容易损坏的问题,根据MOSFET工作特性及测试要求,设计出较为便捷和安全可靠的MOSFET实验教学电路.
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