【摘 要】
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在室温下,采用射频磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了铝酸镧(LaAlO3)薄膜,分别在800 ℃,900 ℃和950 ℃下进行退火处理。利用X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、荧光分光光度计等研究了不同温度退火处理对LaAlO3薄膜结构、表面形貌及光学性质的影响。研究结果表明,LaAlO3薄膜样品在900 ℃开始由非晶向晶体转变,说明高温退火有利于提高结晶质量。光致发光 (PL) 谱测量发现样品在368,470 nm位置处分别出现发光峰,各峰的强度随退火温度的升高逐渐增强,但峰位基本保
【机 构】
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南京航空航天大学应用物理系,江苏南京210016中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050青岛半导体研究所,山东青岛266071
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在室温下,采用射频磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了铝酸镧(LaAlO3)薄膜,分别在800 ℃,900 ℃和950 ℃下进行退火处理。利用X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、荧光分光光度计等研究了不同温度退火处理对LaAlO3薄膜结构、表面形貌及光学性质的影响。研究结果表明,LaAlO3薄膜样品在900 ℃开始由非晶向晶体转变,说明高温退火有利于提高结晶质量。光致发光 (PL) 谱测量发现样品在368,470 nm位置处分别出现发光峰,各峰的强度随退火温度的升高逐渐增强,但峰位基本保持不变。根据吸收光谱和缺陷能级图,推测出368 nm紫外光峰来源于电子从氧空位形成的缺陷能级到价带顶能级的跃迁,470 nm附近的蓝光峰归因于电子从负价AlLa错位缺陷能级到价带顶能级的跃迁。
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