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利用“差分电容膨胀计”方法，首次发现氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）在光照下面积体积增大，著名的Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应（ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致亚稳变化）很可能是这种“光膨胀”的后效应。
非晶硅薄膜的光膨胀效应
【摘 要】
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利用“差分电容膨胀计”方法，首次发现氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）在光照下面积体积增大，著名的Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应（ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致亚稳变化）很可能是这种“光膨胀”的后效应。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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物理
【发表日期】
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1998年5期
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