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通过化学过程沉积含有少量钨的钴薄膜。Co(W)层是沉积在两种类型的种子层:(1)钴或者铜薄膜溅射在100纳米的 SiO2 /Si上,Pd/PdCl2水溶液活化裸露硅晶片。沉积层是光亮的且在目测下是低缺陷密度的。种子层薄膜的成分是钴与百分比3–4的钨。Co(W) 薄膜电阻率是在60–90 μΩ cm。