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用Si（lll）上MOCVD生长的晶态AIN制备出性能良好的Al／AlN／Si（lll）MIS结构，用C-V技术首次系统研究了Al／AlN／Si MIS结构的电学性质。用Al／AlN／SiMIS结构的C-V技术测量了AlN的极化特性，得出AlN层的极化强度为-0．00092C／m^2；揭示了AlN／Si界面存在连续分布的载流子陷阱态，给出了陷阱态密度在Si禁带中随能量的分布；还观察到AlN界面层存在Et-Ev（AIN）=2．55eV的分立陷阱中心。