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[期刊论文] 作者：万积庆,
来源：微细加工技术 年份：1995
本文采用浅平面结制作场板结构高压器件。根据二维模拟器件击穿电压分析结果选择器件参数：结深，场氧化层厚度，场板宽度和内部电极间距。实测结果，半绝缘钝化结构击穿电压的计算值......
[期刊论文] 作者：万积庆,廖晓华,
来源：半导体学报 年份：1989
本文介绍一种光刻刻蚀造型和聚酰亚胺钝化方法.这一新方法称耗尽层刻蚀,它可以使平面型晶体管达到理想击穿电压,而只需用负角斜面所占面积的一部份,且其实际击穿电压取决于对...
[期刊论文] 作者：万积庆,陈迪平,
来源：微细加工技术 年份：1996
采用场限环和场板复合结构的浅平面结高压器件，比单一采用场限环或场板结构，具有更好的击穿电压重复性及一致性。本文根据简化的二维泊松方程，对环间距、环数以及场板宽度进行计......
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