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[期刊论文] 作者：严如岳,
来源：电子材料快报 年份：1999
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[期刊论文] 作者：任殿胜,严如岳,
来源：分析测试学报 年份：1996
用Ｘ射线光电子能谱仪对失效前后的自润滑轴承各种部件表面的化学组成及其状态进行了分析，结果表明失效前后表面性质差异较大，失效是由于自润滑膜破损耗尽所致。...
[期刊论文] 作者：严如岳,华庆恒,
来源：半导体杂志 年份：1991
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[期刊论文] 作者：华庆恒,严如岳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖...
[期刊论文] 作者：严如岳,华庆恒,
来源：半导体杂志 年份：1991
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[期刊论文] 作者：任殿胜,严如岳,
来源：半导体情报 年份：1997
用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不可Ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态物相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优......
[会议论文] 作者：任殿胜,严如岳,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：任殿胜,严如岳,
来源：第三届全国电子能谱与固体表面化学学术讨论会 年份：1994
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[会议论文] 作者：严如岳,任殿胜,
来源：95全国表面与纳米科学技术讨论会 年份：1995
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[期刊论文] 作者：崔梦,胡明,严如岳,
来源：压电与声光 年份：2004
SiC材料具有极为优良的物理化学性能,以SiC材料替代传统Si材料制成的SiC微电子机械系统(MEMS),克服了Si MEMS本身性能的局限性,可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用.文章...
[会议论文] 作者：任殿胜,严如岳,李雨辰,
来源：中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会 年份：1999
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[期刊论文] 作者：任殿胜,王为,李雨辰,严如岳,
来源：分析化学 年份：2003
用X射线光电子能谱(XPS),测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值,指认了砷化镓(GaAs)晶片表面的氧化物组成,计算了表面氧化层的厚度,定量分析了表面的化学组成;比较了几种不同...
[期刊论文] 作者：任殿胜,王为,李雨辰,严如岳,
来源：化学物理学报 年份：2004
用X射线光电子能谱仪 (XPS)研究了砷化镓 (GaAs)晶片在空气中的热氧化和在紫外光 臭氧激发下的氧化反应 .分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚...
[期刊论文] 作者：任殿胜,王为,李雨辰,严如岳,
来源：液晶与显示 年份：2002
用X射线光电子能谱分析技术(XPS)研究了几种砷化镓抛光片及经不同表面处理方法处理的砷化镓晶片表面的化学计量比和表面化学组成.结果表明砷化镓抛光片的表面自然氧化层中含...
[期刊论文] 作者：任殿胜,李雨辰,严如岳,王为,
来源：现代仪器 年份：2001
本文用na2S·9h2o的水溶液及乙醇和异丙醇溶液对gaaS表面进行了钝化处理;用X射线光电子能谱仪(XpS)对钝化表面的化学组成和价态以及钝化层的厚度进行了研究.结果表明,经...
[期刊论文] 作者：任殿胜,华庆恒,刘咏梅,严如岳,
来源：化学物理学报 年份：1997
用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此......
[期刊论文] 作者：任殿胜,华庆恒,严如岳,刘咏梅,
来源：分析测试学报 年份：1997
用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了几种不同工艺制备的匀胶铬版表面、铬膜内部以及各层之间界面处的微观化学组成和化学状态，讨论了不同工艺对铬版材料微观构成及宏观特性的影响。......
[会议论文] 作者：任殿胜,王为,李雨辰,严如岳,
来源：第八届全国固体薄膜学术会议 年份：2002
本文用X射线光电子能谱分析技术(XPS)研究了砷化镓晶片自然氧化层的化学组成和化学计量比,研究了氧化处理技术对砷化镓表面的影响....
[会议论文] 作者：任殿胜,王为,李雨辰,严如岳,
来源：化学与物理电源学术年会 年份：2002
本文应用紫外光—臭氧处理方法对砷化镓晶片表面进行了氧化钝化处理,并应用于场效应晶体管的制作工艺中,对比测试了器件性能参数....
[期刊论文] 作者：任殿胜,严如岳,华庆恒,刘咏梅,
来源：半导体情报 年份：1997
用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优......
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