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[会议论文] 作者：季清斌,李丁,宗华,严通行,杨志坚,胡晓东,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
完整的Si (111)外延GaN结构如图1所示,包括约200nm调制生长AlN缓冲层,200nm组分渐变AlGaN层(Al％=0.65,0.55,0.45,0.35,0.25),以及1.2um的GaN层.其中,对AlN缓冲层生长进行调制,分别为连续生长:同时通入TMAl和NH3;脉冲生长一:先后通入TMAl,TMIn和NH3;脉冲生长二:脉......
[会议论文] 作者：季清赋,李磊,张威,严通行,谢亚宏,陈伟华,胡晓东,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
GaN基器件近些年来发展快速.基于性价比的考虑,蓝宝石和硅衬底仍然是用来外延GaN的首要选择.但是不可避免的异质衬底会带来的晶格和热失配,进而造成GaN外延层的高位错密度.位错往往会充当非辐射复合中心,漏电通道,影响器件的光电效率和寿命.对激光器,以及对位错......
[会议论文] 作者：李丁,杨薇,严通行,若比邻,宗华,季清斌,沈冰然,王存达,胡晓东,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
我们实验发现,GaN基激光器在阈值处的电学特性不同于传统教科书的描述,表现出与GaAs基激光器迥异的特性.就此进行了深入细致的理论和实验研究,以期揭示其物理本质,丰富对于半导体激光激射的理论认识.研究发现这一反常特性是与受激辐射密切相关.......
[会议论文] 作者：季清赋[1]李磊[1]张威[2]严通行[1]谢亚宏[2]陈伟华[1]胡晓东[1],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
GaN基器件近些年来发展快速.基于性价比的考虑,蓝宝石和硅衬底仍然是用来外延GaN的首要选择.但是不可避免的异质衬底会带来的晶格和热失配,进而造成GaN外延层的高位错密度.位...
[会议论文] 作者：蒋盛翔,陈志忠,冯玉龙,焦倩倩,严通行,张立胜,李俊泽,李诚诚,陈怡帆,于彤军,张国义,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
目前,图形化蓝宝石衬底(PSS)广泛应用于GaN基发光二极管(LED)的生产.它能够同时提高GaN基LED的内量子效率(IQE)和光提取效率(LEE).有报道指出,火山口型PSS(VPSS)具有更多的侧面面积和侧向生长面积,相比于圆锥型PSS而言,具有更高的光提取效率.采用纳米压印与湿法......
[期刊论文] 作者：牛晶晶,严通行,周宇轩,陶子予,李小乐,刘伟洋,张礼博,贾浩,刘松,严忠波,陈远珍,俞大鹏,
来源：科学通报：英文版 年份：2021
高阶拓扑相的出现带来了新的体态物理和边界态物理,以及新的拓扑相变类型.尽管研究者们通过探测边界态的方式,已在许多平台上证实了高阶拓扑相的存在,但通过测量体态来直接确定高阶拓扑相及相应的拓扑相变还缺乏实验研究.为了填补这一空白,作者利用超导量子比特......
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