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[期刊论文] 作者：乔墉,罗朝渭,丁世德,
来源：核技术 年份：1986
精密摩擦付是每种具有转动或滑动动作的精密机械的关键零件。从使用的角度来看,它的质量直接决定着整机的技术指标。制造经久耐用的精密摩擦付对于提高整机性能有二重意义:...
[会议论文] 作者：乔墉,杨悦非,罗朝渭,
来源：1986年中日电子敏感技术科学讨论会 年份：2004
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[期刊论文] 作者：陈新之,孙体忠,乔墉,
来源：半导体学报 年份：2004
一、引 言 GaAs-GaAlAs双异质结激光器(以下简称 GaAlAs DH激光器)的退化是人们很关心的问题.现在看来,器件退化主要有二种形式:快退化和慢退化.GaAlAs DH激光器有源区暗线...
[期刊论文] 作者：谢中应,涂有模,乔墉,林成鲁,
来源：机械工程材料 年份：1981
在真空系统中利用加速器把电离的阳离子加速后,打入金属材料的表层内,以改变材料表面的物理化学性能的离子注入新技术,在材料科学研究中具有广阔的前途。国际上对金属表面离...
[期刊论文] 作者：乔墉,卢建国,罗潮渭,邵永富,王渭源,
来源：半导体学报 年份：2004
掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也...
[期刊论文] 作者：杨悦非,乔墉,刘月琴,罗潮渭,王渭源,
来源：传感器技术 年份：1987
实验得到Hall元件的不等位电势Vo与元件的不对称因子和薄层电阻两者乘积成正比。实验表明,对离子注入Hall元件,Vo主要由载流子浓度分市的均匀性决定,均匀性好,Vo小,成品率高...
[期刊论文] 作者：罗朝渭,乔墉,陈庆贵,蔡希介,史日华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
本文研究Si~+室温深注入(150～160keV,1～3×10~15/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜界面附近结晶质量和Si~+室温浅注入(85keV,3×10~(15)/cm~2)SOS中600+10...
[期刊论文] 作者：周继程,乔墉,孙义林,沈德新,徐晨梅,
来源：应用科学学报 年份：2004
用离子注入技术对磷砷化镓进行了掺氮,给出了组分在0.175≤x≤...
[期刊论文] 作者：周继程,沈德新,乔墉,徐晨梅,翁渝民,
来源：应用科学学报 年份：1984
鉴于氮在磷砷化镓中能形成等电子陷阱,人们曾希望向砷化镓掺氮并研究其有关特性,但均未获成功。主要困难是,即使用离子注入技术向砷化镓注~(14)N~+,但退火后的结果表明,氮的...
[期刊论文] 作者：涂有模,谢中应,张士华,赵有本,乔墉,林承鲁,姜苏蔚,罗朝渭,
来源：机械工程材料 年份：1980
本文介绍利用国产200KeV离子注入机,能量60～100KeV,剂量(2～8)×10~(17)/cm~2的氮离子注入,提高金属材料耐磨性的研究结果。YW_1硬质合金车刀,经离子注入后比没有注入的磨损减少...
[期刊论文] 作者：王渭源,卢建国,乔墉,周永泉,夏冠群,邵永富,杨新民,陈自姚,罗潮渭,詹千宝,王文骐,
来源：应用科学学报 年份：2004
本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10~(12)cm~(-2),接触层注入条件为50keV、8×10~(12)cm~(-2),退火条件为800℃30分钟.FET的铝...
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