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[期刊论文] 作者：康宾阳,于彤军,
来源：新消化病学杂志 年份：1997
目的 观察思密达和羟氨苄青霉素联合治疗小儿急性感染性腹泻的疗效。方法 以思密达治疗４０例小儿急性感染性腹泻为对照组，观察口服思密达（１ｇ￣３ｇ，３次／ｄ）联合羟氨苄青霉素（０．１２５ｇ￣０．５ｇ，２￣３次／ｄ）联合羟氨苄青霉素......
[期刊论文] 作者：于彤军,任瑞雪,
来源：包头医学 年份：1995
新生儿重度窒息的病因、予后及预防于彤军，任瑞雪关键词：新生儿；窒息；予后现将我院收治的８５例重度窒息病例做一分析，以探讨其病因、予后及预防措施。新生儿重度窒息的诊断标准：出生１分......
[期刊论文] 作者：于彤军,康宾阳,
来源：包头医学 年份：1996
新生儿惊厥９２例临床分析于彤军，康宾阳惊厥是小儿常见急症，也是新生儿期常见的急症，若不及时诊治可造成不可逆性颅内损伤，遗留不同程度的后遗症，重者危及生命。故研究新生儿惊厥的病......
[期刊论文] 作者：蔡敏,于彤军,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1990
利用变分方法计算了GaAs/Al2Ga1-xAs量子阱中激子的束缚能,分析了电场、势阱宽度对激子束缚能的影响。采用明显不可分离的试探波函数,并考虑了电场对势阱中载流子几率分布的...
[期刊论文] 作者：刘文明,于彤军,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1989
计算了GaAs/Al_xGa_(1-x)As和In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y量子阱中激子的结合能,得到了结合能随阱宽和阱深的变化。结果表明,在这两类量子阱结构中激子结合能的变化规律有...
[期刊论文] 作者：于彤军,康宾阳,
来源：包头医学 年份：1997
在建筑单位，冬季常大量应用抗冻剂。抗冻剂的主要成份为2／亚硝酸盐。因建筑单位对其毒性认识不足，保管不严，易被人误吃引起中毒甚至死亡。现将我院抢救的中毒小儿5例报告如下。临......
[期刊论文] 作者：沈波,于彤军,葛惟昆,,
来源：科技导报 年份：2015
本文从半导体科学技术研究与诺贝尔物理学奖的渊源出发,详细解读了2014年诺贝尔物理学奖成果"高效Ga N基蓝光发光二极管"的研究背景、核心创新内容、科学意义和应用价值,分析...
[期刊论文] 作者：于彤军,韩茹筠,任瑞雪,,
来源：水电医学杂志 年份：1995
对85例新生儿重度窒息进行临床分析,死亡率8.23%。窒息的主要原因胎儿窘迫占58.82%,脐带因素占23.53%。合并症中颅内出血占14.11%,是致死、致残的主要原因,并提出了预防及抢...
[期刊论文] 作者：刘静,康宾阳,于彤军,刘秀云,
来源：包头医学院学报 年份：1997
小儿肺炎及合并心力衰竭血浆心钠素测定的临床研究刘静，康宾阳，于彤军，刘秀云（包头医学院二附院儿科，包头０１４０３０）采用放射免疫技术，测定小儿肺炎及合并心衰时血浆心钠素（ＡＮＰ）的浓度，有指导临床诊......
[期刊论文] 作者：康宾阳,于彤军,吴敏,陈小荣,
来源：新消化病学杂志 年份：1997
目的观察思密达和羟氨苄青霉素联合治疗小儿急性感染性腹泻的疗效．方法以思密达治疗４０例小儿急性感染性腹泻为对照组，观察口服思密达（１ｇ～３ｇ，３次／ｄ）联合羟氨苄青霉素（０１２５ｇ～０５ｇ，２～３次／ｄ）治疗该病４６例的疗效．结......
[期刊论文] 作者：康宾阳,于彤军,崔桂勤,王春桂,
来源：包头医学 年份：1996
蒙族孕妇发锌含量对新生儿体格发育的影响康宾阳，于彤军，崔桂勤，王春桂微量元素测定，近十几年来被人们重视。不同民族，饮食结构相似，发锌值无大的差异。对此，我们进行了探索性研究。......
[期刊论文] 作者：吴洁君,王昆,于彤军,张国义,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
After a brief review on the progresses in GaN substrates by ammonothermal method and Na-flux method and hydride vapor phase epitaxy(HVPE) technology,our researc...
[期刊论文] 作者：商树萍,于彤军,陈志忠,张国义,,
来源：材料研究学报 年份：2006
测量了GaN 基紫光 LED 的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,研究了 LED 的可靠性．结果表明,紫光 LED 的功率在前48h 内迅速衰减,而在48h 后衰减...
[期刊论文] 作者：代爽,于彤军,李兴斌,袁刚成,路慧敏,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2014
系统地研究了小注入电流（＜4mA）下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光（EL）光谱，发现在注入电流1mA下的峰值波长（peakwav......
[期刊论文] 作者：李忠辉,丁晓民,杨志坚,于彤军,张国义,
来源：红外与毫米波学报 年份：2002
利用自行研制的InGaN/GaN SQW蓝光LED 芯片和YAG:Ge3+荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3),并对其发光强度、色度坐标、I-V、色温及显色性等特性进行了研究.实验结果表明:室温下,...
Effects of Ⅴ/Ⅲ ratio on species diffusion anisotropy inthe MOCVD growth of non-polar a-plane GaN fil
[期刊论文] 作者：赵璐冰,于彤军,吴洁君,杨志坚,张国义,,
来源：Chinese Physics B 年份：2004
Non-polar a-plane (110) GaN films have been grown on r-plane (102) sapphire substrates by metal organic chemical vapour deposition. The influences of Ⅴ/Ⅲ...
[期刊论文] 作者：钟灿涛,于彤军,颜建,陈志忠,张国义,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
The degradation mechanism of high power InGaN/GaN blue light emitting diodes(LEDs)is investigated in this paper.The LED samples were stressed at room temperatur...
[期刊论文] 作者：张敬东, 于彤军, 杨志坚, 阎和平, 张宁, 穆森, 张国,
来源：发光学报 年份：2006
研究用于GaN基大功率倒装焊(Flip-chip)紫光LED(UV-LED)的高反射率p型欧姆接触的电学和光学性能。用磁控溅射的方法在GaN基LED外延片表面沉积了不同厚度Ag,Al,Au和Pd四种金属...
[期刊论文] 作者：赵璐冰,于彤军,陆羽,李俊,杨志坚,张国义,,
来源：半导体技术 年份：2008
异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一...
[会议论文] 作者：孙永健;张国义;陈志忠;于彤军;康香宁;,
来源：海峡两岸第十六届照明科技与营销研讨会 年份：2009
自从1962年美国通用电气公司的Holonyak博士发明了世界上第一支发光二极管(LED)以来，使LED发出全部颜色可见光的努力就没有停止过。AlGaInP材料制成的LED可以覆盖从红光(650nm...
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