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[学位论文] 作者：亢玉彬,,
来源：长春理工大学 年份：2020
中红外3-5μm波段是大气的重要窗口,锑化物半导体是此波段光电材料和器件研究的理想材料体系。GaSb基量子阱激光器以其光电转化效率高,材料稳定性好等优点一直以来是中红外波段探测器、激光器的首选材料。在大气污染监测、传感技术、红外成像、遥感、外科医疗、......
[学位论文] 作者：亢玉彬,
来源：长春理工大学 年份：2023
GaAs纳米线材料因具有直接带隙、高电子迁移率等优异属性而被广泛应用于纳米激光器、场效应晶体管（FETs）、光电探测器（PDs）等领域。GaAs纳米线由于在光子集成器件中广阔的应用前景而备受关注,高质量GaAs纳米线的可控制备是器件实用化的前提。过去的几十年里,GaAs基......
[期刊论文] 作者：张健, 唐吉龙, 亢玉彬, 方铉, 房丹, 王登魁, 林逢源,
来源：光子学报 年份：2019
利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长过程中通过反射高能电子衍射仪进行实时原位...
[期刊论文] 作者：王鹏华, 唐吉龙, 亢玉彬, 方铉, 房丹, 王登魁, 林逢,
来源：物理学报 年份：2004
采用分子束外延技术在N-型Si （111）衬底上利用自催化生长机制外延砷化镓（GaAs）纳米线,对生长的纳米线进行扫描电子显微镜测试,纳米线垂直度高,长度直径均匀度好.对纳米线进行光致......
[期刊论文] 作者：王鹏华, 唐吉龙, 亢玉彬, 方铉, 房丹, 王登魁, 林逢源,,
来源：物理学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：李想,亢玉彬,唐吉龙,方铉,房丹,李科学,王登魁,林逢源,楚,
来源：发光学报 年份：2021
采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs)。通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品的一维性;通过X射线衍射(XRD)测试和拉曼光...
[期刊论文] 作者：亢玉彬,唐吉龙,张健,方铉,房丹,王登魁,林逢源,魏志鹏,
来源：中国激光 年份：2019
通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且......
[期刊论文] 作者：张健,唐吉龙,亢玉彬,方铉,房丹,王登魁,林逢源,魏志鹏,
来源：光子学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：王鹏华,唐吉龙,亢玉彬,方铉,房丹,王登魁,林逢源,王晓华,,
来源：物理学报 年份：2019
采用分子束外延技术在N-型Si (111)衬底上利用自催化生长机制外延砷化镓(GaAs)纳米线,对生长的纳米线进行扫描电子显微镜测试,纳米线垂直度高,长度直径均匀度好.对纳米线进行...
[期刊论文] 作者：亢玉彬,唐吉龙,李科学,李想,侯效兵,楚学影,林逢源,王晓华,魏志鹏,
来源：物理学报 年份：2021
GaAs基半导体掺杂技术通过在禁带中引入杂质能级,对其电学及光学特性产生决定性作用,当GaAs材料降维到一维纳米尺度时,由于比表面积增加,容易出现纤锌矿-闪锌矿共存混相结构,此时GaAs纳米线掺杂不仅能调节其电光特性,对其结构相变也具有显著调控作用.本文研究了......
[期刊论文] 作者：李想,亢玉彬,唐吉龙,方铉,房丹,李科学,王登魁,林逢源,楚学影,魏志鹏,
来源：发光学报 年份：2021
采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs).通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品的一维性;通过X射线衍射(XRD)测试和拉曼光谱...
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