搜索筛选:
搜索耗时0.1093秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 16 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：佘思明,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1989
讨论了CZSi中氧的四类行为:(1)由石英坩埚中直拉法生长晶体时氧的行为;(2)间隙氧的本征行为,例如扩散等;(3)亚稳结构,有O-V_(si),热施主与新施主,(4)热力学稳定结构,有各种氧...
[期刊论文] 作者：佘思明,
来源：中南矿冶学院学报 年份：1979
本文研究了重掺锑硅单晶管道的性质和克服管道问题的方法。改用[100]晶向,可靠地消除了管道。制管试验表明,[100]晶向单晶可部分地取代[111]晶向单晶。调凹界面,则可在不改变...
[期刊论文] 作者：佘思明,
来源：中南矿冶学院学报 年份：1978
本文概述了重掺锑硅单晶析出的规律现象,提出了析出的模型。根据这个模型,可以全面地解释观察到的规律性现象,并预计了未曾生长过的晶向[110]的重掺锑硅单晶析出的结构形态。...
[期刊论文] 作者：佘思明,,
来源：中南矿冶学院学报 年份：1990
利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上...
[期刊论文] 作者：佘思明,李冀东,
来源：半导体学报 年份：1996
用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为，结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”；ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＳｉ的......
[期刊论文] 作者：佘思明,成钧,,
来源：金属学报 年份：1987
本文建立了描述重掺Sb的si单晶生长过程中熔体内Sb浓度变化规律的数学模型。用该模型计算的理论曲线与实验曲线一致。结果表明,减压拉晶能有效地控制拉晶过程中由于溶质分凝...
[期刊论文] 作者：程秋平,佘思明,
来源：稀有金属 年份：1991
本文从相似理论出发,导出了实验模拟直拉法生长单晶硅(CZ-Si)熔体流动状态所需满足的相似条件,并以此为根据,对CZ-Si熔体流动状态进行了实验模拟。恒温液体中的液流以液体柱...
[期刊论文] 作者：程秋平,佘思明,
来源：稀有金属 年份：1991
六、热对流及其与强迫对流的作用 (一)埚壁加热引起的热对流 ω_s=ω_c=0时,仅加热埚壁和冷却圆盘,液体产生自然对流环流。埚壁附近液体受热上浮,中心处圆盘下液体下沉...
[期刊论文] 作者：佘思明,刘培东,,
来源：中南矿冶学院学报 年份：1993
氮与碳的存在，降低了产生氧沉淀的初始间隙氧浓度的阈值，使洁净区宽度缩小。...
[期刊论文] 作者：佘思明,李立本,彭世宽,
来源：浙江大学学报(自然科学版) 年份：1993
本文利用化学腐蚀、扩展电阻探针、透射电镜和电子探针等研究了氮气氛直拉硅的本征吸杂。经高——低——高三段热处理可获得比较完整的洁净区,体内有高密度且分布均匀的氧沉...
[期刊论文] 作者：李冀东,施锦行,佘思明,
来源：半导体技术 年份：1996
主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面的应用。The application of extended re...
[期刊论文] 作者：佘思明,李冀东,廖平婴,
来源：半导体学报 年份：1996
用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为．结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”，ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＺＳｉ的......
[期刊论文] 作者：钟磊,李冀东,佘思明,施锦行,,
来源：中南矿冶学院学报 年份：1988
本文利用扩展电阻研究了低温退火及低-高温二步退火后P-CZ硅中新施主的微观分布。指出在新施主的氧沉淀界面模型下,通过扩展电阻法测量新施主的分布提供了确定氧的微小沉淀的...
[期刊论文] 作者：刘培东,佘思明,廖平婴,董萍,,
来源：中南矿冶学院学报 年份：1991
本文分析了掺氮的CZ硅中与氮有关的七条红外吸收峰的形成,指出所谓的“氮氧复合物”实质上是在氮对-硅四面体基础上发展而成的氮对-硅-氧复合体。文章还分析了热处理后的掺氮...
[期刊论文] 作者：佘思明,廖平婴,彭世宽,李立本,,
来源：中南矿冶学院学报 年份：1993
用傅里叶红外光谱、透射电镜和化学腐蚀研究了氮气氛直拉硅(NCZSi)中的氧沉淀。结果指出,原生NCZSi中存在氧对-硅-氧复合物;N集中于氧沉淀的中心区域;N参子的中心区域表现出...
[期刊论文] 作者：石志仪,谢书银,佘思明,李立本,张锦心,
来源：半导体学报 年份：1993
用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直...
相关搜索：
