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[学位论文] 作者：余德昭,
来源：中国科学院大学 年份：2016
工艺尺寸缩小使得纳米MOS器件具有低功耗、高集成度、高工作频率等优点，可以满足星用电子系统高性能及小型化的迫切需求。然而，由于工作电压未随器件尺寸等比例缩小，纳米器件内......
[期刊论文] 作者：崔江维, 郑齐文, 余德昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 魏莹,
来源：电子学报 年份：2018
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比...
[期刊论文] 作者：余德昭,郑齐文,崔江维,周航,余学峰,郭旗,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
In this paper,total dose responses and reliability issues of MOSFETs fabricated by 65 nm CMOS technology were examined. “Radiation-induced narrow channel effec...
[期刊论文] 作者：崔江维, 郑齐文, 余德昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 魏莹,,
来源：电子学报 年份：2018
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[期刊论文] 作者：崔江维,郑齐文,余德昭,周航,苏丹丹,马腾,魏莹,余学峰,郭,
来源：电子学报 年份：2018
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性（NBTI）是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的6...
[期刊论文] 作者：周航,郑齐文,崔江维,余学峰,郭旗,任迪远,余德昭,苏丹丹,,
来源：物理学报 年份：2016
空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,绝缘体上硅（SOI）技术由此进入空间科学领域,这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战.进行SOI N型...
,Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradi
[期刊论文] 作者：郑齐文,崔江维,周航,余德昭,余学峰,陆妩,郭旗,任迪远,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
Functional failure mode of commercial deep sub-micron static random access memory (SRAM) induced by total dose irradiation is experimentally analyzed and verifi...
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