搜索筛选:
搜索耗时0.0873秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 11 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：邱旭,邢东,权东利,余若祺,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文介绍了C波段PHEMT功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用高质量PHEMT材料,成功地制作了单胞9.6mm栅宽的芯片.经内匹配,合成器件在C波段得到3.7～4.2GHz,输出功率8W,增...
[期刊论文] 作者：银军,余若祺,刘泽,吴家锋,段雪,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2020
介绍一种基于国产氮化镓(GaN)外延材料的X波段300 W GaN高效率内匹配器件技术。该技术采用大栅宽芯片的大信号有源模型和封装管壳、键合引线、电容等无源模型,开展X波段300 W...
[期刊论文] 作者：银军,李剑锋,余若祺,张博闻,吴阿慧,
来源：通讯世界 年份：2020
本文介绍了一种基于Ga As PHEMT材料的X波段大功率高效率内匹配器件的设计方法,根据小栅宽管芯提取的模型,在仿真平台中设计环境中利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入...
[期刊论文] 作者：邱旭,李剑锋,崔玉兴,余若祺,张博闻,
来源：微纳电子技术 年份：2009
报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管。通过管芯的结构设计和工艺优化，进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制；通过内匹配技术对HPFET（highperformanceFET）管芯进行阻抗匹...
[期刊论文] 作者：邱旭,崔玉兴,李剑锋,余若祺,张博闻,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大...
[期刊论文] 作者：任俊华,李用兵,刘晓峰,余若祺,黄雒光,,
来源：半导体技术 年份：2016
Ga N微波功率管在基站通信等领域具有重要应用,其可靠性对相关设备的性能有直接影响。利用红外热像分析技术测量器件的峰值结温,基于专用射频加速老化试验系统,在频率为2.85...
[期刊论文] 作者：李剑锋, 银军, 余若祺, 梁青, 默江辉, 黄雒光,,
来源：通讯世界 年份：2019
一种新颖的GaN工艺应用于X波段高功率、高效率功率管,适合于雷达和遥感应用。不同于传统的GaN器件工作在28~40V,该器件工作大于50V,以达到高功率密度、效率和低输出电容。根...
[期刊论文] 作者：余若祺,银军,倪涛,斛彦生,朱紫康,默江辉,
来源：通讯世界 年份：2019
基于自主研发的0.5μm工艺高压GaNHEMT管芯,采用有源器件模型和无源器件模型与大功率内匹配合成技术相结合,成功设计并实现了一款用于长脉宽、大占空比工作的S波段大功率高效...
[期刊论文] 作者：斛彦生,余若祺,银军,张志国,李静强,黄雒光,,
来源：通讯世界 年份：2017
本文研究了一种S波段320W GaN内匹配功率放大器。该器件基于自主研发36V工作的GaN HEMT管芯。以负载牵引结果为出发点,运用电子仿真技术对管芯进行了基波匹配,并针对管芯二次...
[期刊论文] 作者：倪涛, 银军, 王毅, 余若祺, 李剑锋, 斛彦生, 李晶,,
来源：通讯世界 年份：2019
本文介绍了一种X波段小型化高增益高集成度功放载片的设计方法。该功率载片基于28V工作GaN功率单片和功率管芯,采用内匹配方式和混合集成电路形式,研制的四级放大链高集成度...
[期刊论文] 作者：范国莹,银军,王毅,李保第,倪涛,余若祺,徐会博,董世良,
来源：通讯世界 年份：2021
为了解决S波段160 W高效率功率放大器载片的小型化问题,本文采用GaN HEMT芯片和无源匹配电路,在混合集成电路工艺的基础上,以及脉宽2 ms、占空比10%的条件下,得出2.7~3.5 GHz频带内输出功率大于165 W、功率增益12 dB、功率附加效率大于67%的性能指标,这一产品的......
相关搜索：
