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[会议论文] 作者：周均铭,侯宏启,王莉君,
来源：中国物理学会第七届全国半导体物理会议 年份：1989
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[期刊论文] 作者：方晓明,沈学础,侯宏启,冯巍,周钧铭,
来源：半导体学报 年份：1990
在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范...
[期刊论文] 作者：方晓明,沈学础,侯宏启,冯巍,周钧铭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The band configurations of the undoped strained-layer InxGa1-xAs(8 or 15nm)-GaAs(15nm) MQW with x = 0.1,0.15 and 0.2, respectively, have been investigated by ph...
[期刊论文] 作者：都安彦,邹进,冯国光,侯宏启,黄琦,周均铭,,
来源：电子显微学报 年份：1988
In_xGa_(1-x)As/Ga As之间晶格失配度与X成线性关系,其最大值为7％。因而当外延层厚度大于临界厚度时在界面会产生微缺陷,这些缺陷对其材料性能有很大影响。因此对In x Ga_(1-...
[期刊论文] 作者：邹进,都安彦,冯国光,丁爱菊,侯宏启,黄琦,周均铭,,
来源：电子显微学报 年份：1988
外延生长半导体材料中的微缺陷对其性能及应用有着关键性的影响,为此微观缺陷的研究的必要性就显得更突出了。而透射电子显微学恰是进行微缺陷研究的重要手段。本工作就Si衬...
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